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大陆存储器技术发展迅猛SK海力士提前应对专利纷争【华体会网页版】

本文摘要:大陆存储器正在迅猛发展,去年紫光主导的长江存储在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地引发全球注目,韩国业界回应评估称之为,韩国与大陆厂商间的技术差距只剩3~5年。有消息认为,为防止再次首演类似于过去与Rambus、东芝等半导体同业间的专利大战,SK海力士近期特地与专利分析团队中新的正式成立大陆工作小组,以研究自学大陆商业法、专利法等涉及法律。

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大陆存储器正在迅猛发展,去年紫光主导的长江存储在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地引发全球注目,韩国业界回应评估称之为,韩国与大陆厂商间的技术差距只剩3~5年。有消息认为,为防止再次首演类似于过去与Rambus、东芝等半导体同业间的专利大战,SK海力士近期特地与专利分析团队中新的正式成立大陆工作小组,以研究自学大陆商业法、专利法等涉及法律。据韩媒亚洲经济援引SK海力士内部消息称之为,SK海力士的大陆专利分析小组将采行无相同编成、涉及成员可权利参予研究自学大陆专利法等涉及法律的模式。

因大陆半导体技术继续还并未跟上韩国,正式成立大陆工作小组只为提早应付未来有可能再次发生的专利诉讼,故采行非正式编成的形式。海力士半导体致力生产以DRAM和NANDFlash居多的半导体产品。

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